Схема передатчика с высоким кпд

схема передатчика с высоким кпд
Одновременно для выполнения условия возбуждения необходимо увеличивать усиление транзистора. Базовые этапы технологии приведены на рис. 6. Рис. 6. Схемы базовых этапов изготовления MESFET Вторым этапом является изолирование и формирование затвора. За счет ионной имплантации, например, бора, осуществляется деактивация проводящего слоя GaAs и формируются необходимые изолирующие области. Шум может генерироваться различными механизмами. Во-первых, причиной может являться кинетическая энергия электронов, которая пропорциональна температуре материала.


Благодаря беспрецедентной вычислительной мощности сигнала, меньший след и передовые транспортный поток через IP (TSoIP) входных возможностей, Maxiva ХТЕ опирается на сильной наследия новаторским технологические достижения, впервые несколько десятилетий GatesAir инноваций. Теперь про выходную мощность радиопередатчика. В режиме несущей – все понятно. Нагрев катушки вызывает увеличение ее геометрических размеров вследствие теплового расширения и соответствующее увеличение индуктивности. Это обеспечивает высокий КПД транзистора в режиме удвоения частоты. Переключатель S2- галетный, одноплатный, на 5 или 11 положений. Максимальное напряжение входного сигнала ограничивается напряжением пробоя транзистора.

Создание сверхмощных КВ-передатчиков нового по-коления более высоких уровней мощности стало реаль-ной задачей, но экономический кризис в России начала 90-х годов привел к приостановке финансирования этих работ. Конструкция MESFET Базовая структура MESFET приведена на рис. 3. Рис. 3. Базовая структура полевого транзистора с барьером Шоттки Базовым материалом является подложка из арсенида галлия. Если частота передатчика при прогреве понизилась, конденсатор СЗ необходимо заменить другим, имеющим больший отрицательный ТКЕ. Например, если использовался керамический конденсатор, его следует заменить голубым.

Похожие записи:

Comments are closed, but trackbacks and pingbacks are open.